午夜福利资源片在线,漂亮人妻洗澡被强bd中文,午夜福利+无码+自拍,第一福利官方导航

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

CMOS反相器工作原理及傳輸特性的分類

信息來源:本站 日期:2017-08-24 

分享到:

CMOS反相器的特性

 反相器的意思就是“反轉”,是將輸入的信號電平反轉輸出的電路。圖10.5是將MOS晶體管置換為開關的反相器電路。就是說p溝/n溝MOS晶體管承擔這個開關的任務。
mos管

1.Vin=Vss的場合

n溝MOS晶體管的VGS為OV,處于OFF狀態。p溝MOS晶體管的襯底與VDD等電位,所以等效地VGS為VDD,處于ON狀態。所以作為反相器來說,n溝MOS晶體管OFF時只有漏電流(幾乎為零)流動,如圖10. 6(a)所示,輸出電壓Vout除非不取出電流,否則幾乎與VDDr等電壓。

2.Vin=VDD的場合

   p溝MOS晶體管OFF,n溝MOS晶體管ON,p溝MOS晶體管OFF時只有漏電流。所以,輸出電壓Vout如圖10. 6(b)所永,接近Vss的電位。

3.Vss<Vin<VTN的場合

其特性與Vin=Vss的場合大致相同。

mos管

4.(VDD-|VTP|)<Vin<VDD的場合
其特性與Vin=VDD的場合大致相同。

5,VTN≤Vin≤(VDD -|VTP|)的場合

   這時,p溝MOS晶體管與n溝MOS晶體管的阻抗的大小逆轉,反相器的輸出處于從“H”變化為“L”的過渡點。把這時的輸入電壓叫做邏輯閾值電壓或者電路

閾值電壓。

   這期間,n溝MOS晶體管與p溝MOS晶體管都處于ON狀態,n溝MOS晶體管中,VDS= VoutVGS= Vin

同樣地,p溝MOS晶體管中,

VDS=Vout-VDD

VGS=Vin-VDD

因而n溝MOS晶體管與p溝MOS晶體管在飽和區中IDS的表達式分別變形為

下式:

—IDS=KP(Vin-VDD-|VTP|)2              (10.1)

  IDS=KN(Vin-|VTN|)2                  (10. 2)

mos管
以上五種用圖表示,就是圖10.7

主站蜘蛛池模板: 通榆县| 抚宁县| 陕西省| 文水县| 靖边县| 济源市| 水富县| 东乡| 聊城市| 施秉县| 焦作市| 赞皇县| 杭锦后旗| 南郑县| 玉环县| 镇巴县| 姜堰市| 札达县| 新乡市| 志丹县| 广州市| 鄂伦春自治旗| 沙坪坝区| 龙江县| 宁河县| 安陆市| 视频| 日照市| 同仁县| 阜宁县| 小金县| 讷河市| 海丰县| 凉城县| 偃师市| 呈贡县| 广宗县| 建宁县| 盐亭县| 永登县| 清河县|